Организация JEDEC, отвечающая за определение спецификаций стандартных типов памяти, опубликовала документ JESD330-4, описывающий окончательную спецификацию стандарта памяти SPHBM4 (Standard Package High Bandwidth Memory). Новый стандарт памяти предназначен для обеспечения такой же суммарной пропускной способности, как у памяти HBM4, большей ёмкости и более низких затрат на интеграцию за счёт совместимости с традиционными текстолитовыми (органическими) подложками.
Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей
Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО
Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2
Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная
Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем
О работе над окончательной спецификацией стандарта SPHBM4 JEDEC сообщала в декабре 2025 года. В окончательном варианте спецификации стандарта SPHBM4 сохранены те же кристаллы памяти HBM4 DRAM и базовые слои памяти, но представлен другой интерфейс базового кристалла. Если обычный интерфейс HBM4 использует 2048 сигналов данных, то SPHBM4 сокращает это число до 512 сигналов, компенсируя более узкое соединение более высокими частотами интерфейса и последовательностью передачи 4:1.
«Память JESD330-4 SPHBM спроектирована таким образом, чтобы работать с той же совокупной пропускной способностью, что и HBM4, используя меньшее количество контактов, при этом оперировать на более высокой частоте. Если интерфейс HBM4 содержит 2048 сигналов данных, то SPHBM4 будет определять 512 сигналов данных с последовательностью 4:1 для достижения той же полосы пропускания. Это изменение позволяет уменьшить высоту неровностей, необходимую для подключения к органическим подложкам», — заявили в JEDEC.
В JEDEC пояснили, что последовательность 4:1 означает, что каждое соединение для передачи данных у памяти SPHBM4 со временем передаёт в четыре раза больше данных. Это позволяет интерфейсу поддерживать общую пропускную способность на уровне HBM4, используя при этом большее расстояние между центрами двух соседних соединительных микроконтактов при объединении с органическими подложками.
Объём памяти, доступный для каждого стека, остаётся неизменным, поскольку в SPHBM4 используются стандартные слои памяти HBM4. Маршрутизация на органической подложке также поддерживает более длинные соединения между процессором и памятью, что может позволить разработчикам ускорителей размещать больше стеков памяти вокруг SoC.
Память SPHBM4 не предназначена для замены стандартной HBM4. Она лишь меняет способ взаимодействия стеков высокопроизводительной памяти с процессором, а также способ их интеграции в единую упаковку. JEDEC ничего не сообщила о продуктах, в которых будет использоваться память SPHBM4, или о сроках внедрения стандарта JESD330-4.