В прежние годы планирование расширения производственных мощностей для компаний, выпускающих память, было делом рискованным и непредсказуемым. Начав строительство крупного комплекса в Пхёнтхэке несколько лет назад, Samsung была вынуждена ввести в строй только три корпуса из шести. Четвёртый появился с задержкой, но к строительству шестого она приступает даже с опережением графика.
72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию
Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей
Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро
Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем
Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»
Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены
По данным южнокорейских СМИ, так называемый корпус P5 Fab 2, который дополнит уже возводимый P5 Fab 1 и станет последним из этапов реализации масштабного проекта, вот-вот начнёт строиться — хотя бы на уровне монтажа фундамента. Как отмечают южнокорейские издания, на свободном участке по соседству с P5 Fab 1 недавно были замечены строительные машины для забивания свай. Предполагается, что они приступят к строительству фундамента для корпуса P5 Fab 2 уже в следующем месяце. По строительной площадке начали передвигать контейнеры с материалами и оборудованием. Геодезические работы на участке уже проведены. Samsung и её строительный подрядчик начали формировать команду управленцев и специалистов, которые будут курировать строительство P5 Fab 2.
Под этот корпус отведена площадка размерами 661 на 194 метра, что позволяет приблизительно рассчитать площадь объекта — около 130 000 м2. Подобная территория способна вместить 18 футбольных полей. При условии обработки кремниевых пластин типоразмера 300 мм, данный корпус после ввода в строй позволит ежемесячно выпускать от 200 до 300 тысяч кремниевых пластин с микросхемами памяти. Помимо чипов памяти HBM, DRAM и NAND, здесь могут производиться и логические компоненты по заказу сторонних клиентов Samsung Electronics. Как ожидается, к работе P5 Fab 2 приступит в 2029 году. Первоначально его строительство планировалось начать в первой половине следующего года, но судя по активности на площадке, сроки сдвинуты примерно на полгода в сторону ускорения.
Как и соседнее P5 Fab 1, новое предприятие Samsung получит трёхэтажную компоновку. Строительство первого началось в конце прошлого года, в строй оно будет введено в 2028 году. Каждое из этих предприятий обойдётся Samsung примерно в $39 млрд. Вместе оба предприятия смогут ежемесячно обрабатывать по 600 000 кремниевых пластин в месяц. Если учесть, что сейчас все предприятия Samsung сообща способны выдавать по 650 000 кремниевых пластин с памятью DRAM в месяц, то можно говорить о предстоящем удвоении производственных мощностей Samsung к 2029 году.
Параллельно Samsung продолжает наращивать объёмы выпуска памяти на уже действующих предприятиях комплекса в Пхёнтхэке. Например, в корпусе P4 монтируется дополнительная линия по выпуску DRAM с использованием 6-го поколения 10-нм техпроцесса (1c) для HBM4. Эта линия сможет ежемесячно выдавать от 100 до 200 тысяч кремниевых пластин с профильной продукцией. В Китае Samsung на своём местном предприятии осваивает выпуск 286-слойной памяти типа NAND. Предприятие в техасском Тейлоре готовится освоить выпуск 2-нм чипов для компании Tesla и прочих заказчиков. Расширяются и возможности Samsung в сфере тестирования и упаковки чипов. В этом году компания пообещала существенно увеличить капитальные затраты, хотя и не стала конкретизировать суммы, направляемые на строительство новых предприятий и производственных линий.