Samsung Electronics начала поставлять клиентам образцы HBM4E ещё в конце мая, поэтому для конкурирующей SK hynix сокращение отставания от неё было делом первостепенной важности. Как и ожидалось, о начале поставок своих образцов HBM4E вторая из компаний объявила в текущем месяце, а именно — в четверг.
Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро
Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем
72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию
Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены
Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей
Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»
Из пресс-релиза на сайте SK hynix становится понятно, что её крупные клиенты начали получить от неё образцы 12-ярусных микросхем памяти HBM4E, которые достигают скорости передачи информации 16 Гбит/с в пересчёте на один контакт. При их изготовлении используется технология MR-MUF, повышающая тепловое сопротивление на 17 % при одновременном улучшении стабильности. Энергетическая эффективность HBM4E в исполнении SK hynix возросла более чем на 20 % по сравнению с микросхемами предыдущего поколения. В одном стеке с 12 ярусами располагается 48 Гбайт памяти HBM4E.
Когда появятся серийные экземпляры HBM4E, компания не уточняет, также пока нет ясности, есть ли среди получающих первые образцы её клиентов Nvidia. Впрочем, поскольку последняя является одним из крупнейших потребителей памяти класса HBM, в сотрудничестве двух компаний в данной сфере сомневаться почти не приходится.